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第六讲 电路参数的提取

[编辑:永太净化设备经营部] [时间:2024-02-25]

  两管尺寸相同时,上升延迟时间比下降 延迟时间长,这是因为电子迁移率大于 孔穴迁移率的原因。 若要求tr=tf,则要求n=p 即:

  • 从上式看,f增大使级数N减小,使总延迟时间及每一 级的延迟时间也相应增大,可以证明当f=e≈2.7时, 速度最快,反相器链的总延迟时间最小。 证明:由T=N× f  t pd ,得 N  T f  t pd 则:与上式比较得

  • 问题:一个门驱动非常大的负载时,会引起延 迟的增大。由于外部电容比芯片内部标准门栅 电容可能要大几个数量级。要想在允许的门延 W   K ( ,即 ) 迟时间内驱动大电容负载,只有提高 L 增大W,将使栅面积LW增大,管子的输入电 容(即栅电容)Cg也随之增大,它相对于前一 级又是一个大电容负载。如何解决这一问题呢? • Mead和Conway论证了用逐级放大反相器构成 的驱动电路可有效地解决驱动大电容负载问题

  式中:r为单位长度电阻,c为单位长度电容。 通常信号在连线上的传播延迟时间可以用下式 估算: rcl 2

  其中:l为连线长度,由于 tl  l 2 ,l在连线延迟中 起主要作用。为了减小延迟时间,可行的策略 是在连线中加若干个Buffer。

  为了减小寄生电容,要求线宽越细越好。但是, 金属在传递电流时,电流密度有一定的限制。 如果电流过大,而超过导体的域值Jth,会使导 体内产生电迁移现象,导致电路失效。 Al的Jth一般为0.8-1.0 mA/μ m² 例如:Al的最小线μ m,Al的厚 度约为1μ m,Al的横截面积为7.5μ m²。 取:Jth=1mA/μ m²,则:导线mA的电 流。如果电路实际工作电流大于此电流值,就 需要增加金属线宽,以防止电迁移现象出现

  • 逐级放大方法:为了保证输出低电平Vol 不变,而维持标准反相器的 不变的条件 下,逐级放大驱动管和负载管的宽长比, 使每级放大的比例因子f相等。

  1、静态功耗 CMOS在静态时,P、N管只有一个导通。由于没有Vdd到 GND的直流通路,所以CMOS静态功耗应当等于零。但在 实际当中,由于扩散区和衬底形成的PN结上存在反向漏 电流: AqDn ni2 

  A:PN结面积, Dn:电子扩散系数 Ln:电子扩散浓度, n i:本征载流子浓度 静态功耗:

  • 经过N级放大后,则总延迟时间为:T=N× , f称为几何放大因子。 • 在实际的电路设计中,如何确定放大器的级数? 可以分两步进行: (1)根据设计要求:tr、tf及CL,计算末级MOS管 的尺寸。 (2)按照设计的优化准则:速度、功耗、面积等, 计算出所需级数及每级MOS管的尺寸。

  1、下降时间: 设:输入波形为理想脉冲 Cl上的电压从0.9Vdd下降到Vdd-Vtn过程中,N管工作在 饱和区 Cl上的电压从Vdd-Vtn下降到0.1Vdd过程中,N管工作在 线性区 根据放电电流的瞬态方程:

  • 一般长连线、压焊块及芯片外负载电容 值远远大于标准反相器的栅电容值。因 此,当驱动这些大电容时,需要设计专 门的驱动电路。

  CMOS电路的功耗主要由两部分组成: 1、静态功耗:由反向漏电流造成的功耗。 2、动态功耗:由CMOS开关的瞬态电流和负 载电容的充放电造成的功耗。 在功耗设计中主要考虑三个因素:一是 线宽过细引起的导体的电迁移现象;二 是散热问题;三是供电问题。

  2、动态功耗 (1)假设输入波形为 理想的阶跃波形, CMOS 电 路 在 “ 0 ” 和“1”的转换过程 中,P、N管会同时 导通,产生一个窄 脉 冲 电 流 , 由 Vdd 到GND。同时,对 负载电容充电也需 要电流。 平均功耗为:

  6.1 信号传输延迟 数字电路的延迟由四部分组成: 门延迟 连线延迟 扇出延迟 大电容延迟

  门延迟的定义 本征延迟 • 上升时间tr:输出信号波形从“1”电平的10%上升

  ห้องสมุดไป่ตู้• 关于散热问题: (1)减小各级门的功耗是集成电路设计目 标之一。 (2)降低功耗会使门的延迟时间增大。 (3)目前,采用使散热均匀分布的方法来 解决由于局部功耗过大,而造成的局部 过热。

  • 关于供电问题:功耗与Vdd的平方成正比。在进行 P/G布线时,主要考虑的约束条件是: (1)满足节点最大电压降的要求; (2)满足电迁移的要求; (3)满足供电均匀的要求。 • 近两年来,人们正在研究采用Cu来代替Al做连线μ Ω -cm,而铜的电阻率在 1.7μ Ω -cm。因此,铜代替铝可使连线设计得更细, 而不会产生过大的寄生电阻、电容。第二,还可以 改善电迁移。第三,减少电压下降。

  逻辑门的输出端所接的输入门的个数称为电 路的扇出:Fout I out 对于电路扇出参数的主要限制是:   Iin

  在电路设计中, 如果一个反相器的扇出为N, 即Fout=N。其驱动能力应提高N倍,才能获得 与其驱动一级门相同的延迟时间。否则它的上 升及下降时间都会下降N倍。

  • 在计算连线延迟时,我们用最简单的RC 网络模型。考察节点Vi的时间响应:

  3、延迟时间: 根据延迟时间的定义:td为输入信号变化 到50%Vdd时刻的时刻到输出电压变化到 50%Vdd时刻之间的时间差。但这样的延 迟 比较难以计算。