砷化镓(gallium arsenide)是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体凯时kb88真人，熔点1238℃凯时kb88真人。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

　　砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，禁带宽度1.4电子伏凯时kb88真人凯时kb88真人凯时kb88真人。

　　砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件凯时kb88真人。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

　　化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热能力等特性上具有独特优势凯时kb88真人。砷化镓PA平均单机价值从4G的3.25美元增加至5G的7.5美元凯时kb88真人，砷化镓晶圆市场规模从2亿美元提升至3.5亿美元，核心受益环节是代工厂和射频IDM。碳化硅成本高昂及可靠性问题是阻碍碳化硅发展的最大障碍。两年之内凯时kb88真人，电动车的快速发展或将造成全球碳化硅衬底的供需失衡凯时kb88真人。假设未来五年碳化硅模块价格每年下降10%凯时kb88真人，IGBT价格每年下降5%凯时kb88真人，电池成本每年下降10%

　　作为第二代半导体凯时kb88真人，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。中国科学家宣布已掌握一种生产这种材料的新技术凯时kb88真人，使中国成为继日本、德国之后掌握这一技术的又一国家。 北京有色金属研究总院宣布凯时kb88真人，国内成功拉制出了第一根直径4英寸的VCZ半绝缘砷化镓单晶凯时kb88真人凯时kb88真人。

　　砷化镓于1964年进入实用阶段凯时kb88真人凯时kb88真人。砷化镓可以制成电阻率比硅凯时kb88真人凯时kb88真人、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器凯时kb88真人、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温凯时kb88真人、低温性能好凯时kb88真人凯时kb88真人、噪声小、抗辐射能力强等优点凯时kb88真人。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料凯时kb88真人，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差凯时kb88真人凯时kb88真人，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

　　据杭州中经智盛市场研究有限公司发布的《2022-2026年砷化镓市场现状调查及发展前景分析报告》显示：GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性凯时kb88真人凯时kb88真人凯时kb88真人，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合凯时kb88真人凯时kb88真人。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时凯时kb88真人，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压凯时kb88真人凯时kb88真人，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性凯时kb88真人凯时kb88真人，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯凯时kb88真人凯时kb88真人、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管以发射微波。

　　GaAs的的另一个优点：它是直接能隙的材料凯时kb88真人凯时kb88真人凯时kb88真人，所以可以用来发光凯时kb88真人。而Si是间接能隙的材料，只能发射非常微弱的光。(但是凯时kb88真人，最近的技术已经可以用Si做成LED和运用在镭射。

　　据专家介绍，砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机凯时kb88真人、DVD计算机外设凯时kb88真人、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍凯时kb88真人凯时kb88真人，砷化镓成为超高速凯时kb88真人、超高频器件和集成电路的必需品。它还被广泛使用于军事领域凯时kb88真人，是激光制导导弹的重要材料，曾在海湾战争中大显神威，赢得“砷化镓打败钢铁”的美名。 据悉凯时kb88真人，砷化镓单晶片的价格大约相当于同尺寸硅单晶片的20至30倍。尽管价格不菲，国际上砷化镓半导体的年销售额仍在10亿美元以上凯时kb88真人。在“十五”计划中，我国将实现该产品的产业化凯时kb88真人凯时kb88真人，以占据国际市场凯时kb88真人。掩模对准高阻硅衬底电流方程参数提取过热区凯时kb88真人