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硅衬底GaN

[编辑:永太净化设备经营部] [时间:2024-02-20]

  多年技术积累下盈利能力强,业务结构有待优化 1月28日,上海合晶晚间披露股票发行公告:本次公开发行股票数量约为6621万股,发行后公司总共股本约为6.62亿股。发行价格为22.66元/股;2024年1月30日进行网上申购

  10月31日,立琻半导体宣布,推出单芯片集成式车用像素大灯矩阵光源芯片—LKEWG系列。这款智能多像素LED芯片能够实现车头灯的完全自适应动态控制。

  目前GaN功率半导体在产品设计优势已受LED照明业者认可,飞利浦在TrueForce Core LED Road系列产品中采用GaN解决方案,实现能效提升、减少高达60%能耗、延长灯泡寿命至25,000小时,同时维持较低的初期投资成本降低,并缩短回本期至14个月内。

  近日,晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。

  行家说快讯: 今年,Micro LED热度更上一层楼,最为明显的是各种技术上的突破,近期又有两个团队称在Micro LED方面获得新的突破。 01 针对钙钛矿量子点Micro-L

  IT之家 6 月 21 日消息,据南京芯视元发布,公司两款 Micro OLED 硅基微显示芯片产品发布,硅基微显示芯片为 MicroOLED 微显示器件的核心元件。Micro OLED 微显示器件具

  近日,来自美国能源部国家可再生能源实验室(NREL)和科罗拉多矿业学院(CSM)的科学家们披露了一项新进展:他们正应用一种新技术,来探测硅太阳能电池中的光诱导降解(LID)。

  近日,麻省理工研究团队宣布,当前设计一款实用性非常强的硅基LED,它将采用正偏方法,相较于其他的硅基LED亮度提升10倍。

  11月25日,亚洲硅业(青海)股份有限公司(以下简称“亚洲硅业”)申请科创板上市已获受理,平安证券为其保荐机构,亚洲硅业成为青海省第一家冲刺科创板的公司。据招股书显示,亚洲硅业主营业务为多晶硅材料的研

  近期在小米10的发布会上,雷军发布了的一款 GaN(氮化镓)充电器,让氮化镓这种新材料大放异彩。氮化镓相关概念股瞬间大涨,截止到2月17日A股相关上市公司中,三安光电、士兰微、华微电子和海特高新均实现了大涨,21只个股市值累计增加292亿。

  文章旨在为读者介绍与从 4G 到 5G 就绪和 5G 技术的服务与基站升级所带来的需求变化和设计挑战等相关背景。讨论中包括了一些关键细节,这些细节解释了 mMIMO 天线是如何成为新常态的,以及新的通信技术在部署5G服务以满足 3GPP 规范和用户日益增长的期望时是必不可少的。

  5G基建及应用是2020年“新基建”六大方向之一,被列为中国制造2025计划中十个重点发展行业的首位。5G是当前国际竞争的焦点,未来10-20年发展的基石,我国已完成5G移动通信的演示验证, 2019年已经开始发放牌照,成为我国5G移动通信的商用元年。

  氮化镓材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐照等优越性能;切合国家 “新基建”的国家战略需求,例如5G/6G、智能电动汽车,大数据中心等,氮化镓是支持新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。

  近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性

  11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中

  2019年11月25日下午,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。本届论坛由国家半导体照明工程

  紫外线虽然在太阳光中能量占比仅5%,但却广泛应用于人类生活。目前紫外光应用包括印刷固化、钱币防伪、皮肤病治疗、植物生长光照、破坏微生物如细菌、病毒等分子结构,因此广泛应用于空气杀菌、水体净化和固体表面除菌消毒等领域

  8月14日,上交所科创板上市发行审核系统显示,上海硅产业集团股份有限公司(下称“ 上海硅产业”)中止科创板上市申请。

  尽管氮化镓(GaN)基LED在景观照明、室内照明、道路照明、背光源等应用领域已经成熟,Mini/Micro LED高清显示的应用领域也正在培育,并呈现了迅猛发展的势头。然而,经过二十多年的发展,业界一直最为关注的核心依旧是LED光效与成本。

  LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料,其决定了半导体照明技术的发展路线。目前,能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等,但商用最广泛的是Al2O3、SiC、Si,因此形成了三条不同的技术路线

  今日上证指数收报2132.80点,上涨21.62点,涨幅为1.02%,几乎以全天最高点报收;深证成指收报9076.62点,上涨81.00点,涨幅为0.90%。板块方面,今日半导体板块大涨2.30%,个股几乎全线飘红,其中聚飞光电、有研硅股两股涨停,只有海润光伏一家出现下跌,跌幅0.62%。

  目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小,同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求,使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料凯时kb88真人电流方程参数提取高阻硅衬底过热区掩模对准